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    在至少一實施形式中，光電半導體晶片(1)具有一用於產生電磁輻射之半導體層序列(2)、以及銀鏡面(3)。該銀鏡面(3)配置在該半導體層序列(2)上。氧添加至該銀鏡面(3)之銀。該銀鏡面(3)上該氧之重量成份較佳是至少10-5且較佳是最多10%。
    公开号:TW201322493A
    申请号:TW101135463
    申请日:2012-09-27
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Kai Gehrke；Korbinian Perzlmaier；Richard Floeter；Christian Schmid
    申请人:Osram Opto Semiconductors Gmbh；
    IPC主号:H01L33-00
    专利说明:
    光電半導體晶片及光電半導體晶片之製造方法
    本發明涉及一種光電半導體晶片。此外，本發明亦涉及上述光電半導體晶片之製造方法。
    本發明的目的是提供一種光電半導體晶片，其特別是發出有效能量的輻射。
    依據光電半導體晶片之至少一實施形式，其包括半導體層序列。半導體晶片之半導體層序列較佳是以III-V-化合物半導體材料為主。半導體材料較佳是氮化物-化合物半導體材料，例如，AlnIn1-n-mGamN，或亦可為磷化物-化合物半導體材料，例如，AlnIn1-n-mGamP，其中0≦n≦1,0≦m≦1且n+m≦1。同樣，半導體材料亦可為AlxGa1-xAs，其中0≦x≦1。因此，半導體層序列可具有摻雜物質以及其它成份。然而，為了簡單之故，只指出半導體層序列之晶格的主要成份，即，鋁(Al)、砷(As)、鎵(Ga)、銦(In)、氮(N)或磷(P)，這些主要成份之一部份亦可由少量的其它物質來取代及/或補充。
    半導體層序列包含一活性層，其具有至少一pn-接面及/或一個或多個量子井結構。在半導體晶片操作時，活性層中產生電磁輻射。此輻射之波長較佳是位於紫外線及/或可見光譜區中，此波長特別是介於420奈米(nm)(含)和680奈米(nm)之間，例如，介於440奈米(nm)(含)和480奈米(nm)之間。
    依據至少一實施形式，半導體晶片是發光二極體(簡寫成LED)。此半導體晶片較佳是用來發出藍光或白光。
    依據至少一實施形式，半導體晶片包含銀鏡面。此銀鏡面配置在半導體層序列上且用來將活性層中所產生之輻射予以反射，特別是反射至朝向半導體晶片之輻射發出面的方向中。該銀鏡面較佳是像鏡子般地進行反射。換言之，銀鏡面不是散射式地反射的鏡面。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，銀鏡面中添加氧。換言之，銀鏡面的主要成份除了銀(Ag)以外亦具有氧(O)。
    依據光電半導體晶片之至少一實施形式，銀鏡面之氧的重量成份至少是10-6或至少是10-5或至少是10-4或至少是0.1%或至少是1%。或是，氧的重量成份最多是10%或最多是1%或最多是0.1%或最多是10-4或最多是10-5。換言之，銀鏡面中不存在-或基本上不存在純的氧化銀，而是可將氧補充成該銀鏡面之銀的一種摻雜形式。
    在至少一實施形式中，光電半導體晶片具有可產生電磁輻射之半導體層序列、以及銀鏡面。此銀鏡面配置在該半導體層序列上。氧添加至此銀鏡面之銀中。氧在此銀鏡面上的重量成份較佳是至少10-5而且最多10%。
    藉由此種銀鏡面，則可實現一種發出特別有效之輻射的光電半導體晶片。另外，使用此種銀鏡面於半導體晶片中的理由是以下的認知。
    為了對光電半導體晶片(例如，發光二極體)達成電性接觸(特別是在p-側)，則須施加一種金屬材料或含有金屬的材料至半導體材料中。於是，在該金屬和該半導體材料之間產生一種接觸電阻。此接觸電阻與原來可產生光之活性層形成一種串聯電阻。為了有效地操作此半導體晶片，則需要一種儘可能小的接觸電阻。
    為了使接觸電阻減小，則可在鏡面和半導體層序列之間施加一中間層。例如，該中間層藉由鉑或鎳構成的薄層來形成，該中間層的厚度典型上小於1奈米(nm)或小於5奈米(nm)。像鉑或鎳之類的材料在與銀比較下當然具有較小的反射率(特別是在藍色光譜區中時)。因此，藉由使用此種材料可使接觸電阻減小，但鏡面之反射率亦下降。
    藉由施加較少量之氧至銀鏡面中，則同樣可使該接觸電阻減小。另一方面，藉由氧之施加，銀鏡面之反射率不會下降或不會大大地下降。因此，藉由含氧量較少的銀鏡面，則可使半導體晶片發出能量特別有效的輻射。由於氧化銀之棕色的色彩及可見的輻射對氧化銀之較小的反射率，則測得的含氧量當然不應太高。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，銀鏡面依位置或整面直接施加在具有活性層之半導體層序列上。換言之，銀鏡面之材料至少依位置而與半導體層序列之半導體材料直接地實際相接觸。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，銀鏡面只由材料銀和氧構成。銀鏡面由銀和氧構成特別是指：由其它材料所造成的污染度最多是100 ppm或最多是10 ppm。ppm此處是指重量或原子數的百萬分之一。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，在銀鏡面之遠離該半導體層序列之一側上施加一覆蓋層。此覆蓋層較佳是至少依位置而與銀鏡面直接地實際相接觸且設置成可使氧透過。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該覆蓋層具有金屬氧化物或由一種或多種金屬氧化物構成。該覆蓋層特別是由透明之可導電金屬氧化物(簡稱為TCO)所製成。多種摻雜物質可添加至該覆蓋層之金屬氧化物以調整導電性。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該覆蓋層藉由氧化鋅(ZnO)、或藉由摻雜之氧化鋅ZnO：Ga或ZnO：Si來形成。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該覆蓋層之厚度至少是10奈米(nm)或至少是20奈米(nm)或至少是35奈米(nm)。或是，該覆蓋層之厚度最多是1微米(μm)或最多是500奈米(nm)或最多是150奈米(nm)或最多是100奈米(nm)或最多是80奈米(nm)。藉由此種厚度，則該覆蓋層可使氧透過。換言之，藉由熱感應之擴散，則氧可經由該覆蓋層而抵達。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，半導體層序列具有一個部份層。該部份層較佳是直接與銀鏡面相鄰接。該部份層較佳是p-摻雜者且以GaN為主、以AlInGaN為主或以AlGaN為主。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該部份層的厚度至少是2奈米(nm)或至少是5奈米(nm)。或是，該部份層所具有的厚度最多為250奈米(nm)或最多為50奈米(nm)或最多為20奈米(nm)。特別是該部份層的厚度大約是10奈米(nm)。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該部份層以鎂或其它的p-摻雜物質來摻雜。該部份層中的摻雜物質濃度較佳是至少為1×10-19 cm-3或至少為5×10-19 cm-3。或是，摻雜物質濃度最多為2×1020 cm-3或最多為1.5×1020 cm-3。換言之，該部份層較佳是一種高的p-摻雜之薄GaN-層。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，一邊界層位於銀鏡面和半導體層序列之間。該邊界層可藉由銀鏡面之材料(即，銀和氧)及半導體層序列之材料(特別是鎵、氮、鋁、銦及/或鎂)之混合而形成。換言之，該邊界層是一種由半導體層序列之材料成份朝向銀鏡面之材料成份的一種接面層。該邊界層之厚度較佳是最多5奈米(nm)或最多1.0奈米(nm)或最多0.5奈米(nm)或最多0.25奈米(nm)。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，半導體層序列之部份層中及/或邊界層中之氧濃度最多為1×1015 cm-3或最多為1×1016 cm-3或最多為1×1017 cm-3。換言之，該部份層及/或該邊界層不適合以氧來摻雜。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，銀鏡面之厚度是至少50奈米(nm)或至少70奈米(nm)或至少90奈米(nm)或至少110奈米(nm)。或是，銀鏡面之厚度最多為5微米(μm)或最多為1.1微米(μm)或最多為300奈米(nm)。藉由銀鏡面之此種厚度，則一方面可使銀鏡面達成足夠高的反射率，此乃因半導體層序列中所產生的輻射不會穿過或通過該銀鏡面層。另一方面，在此種厚度時氧可穿過銀鏡面且到達該邊界層及/或該部份層及/或該半導體層序列。
    依據半導體晶片之至少一實施形式，該邊界層中存在著較該部份層中及/或該半導體層序列之仍保留的部份中還高的氧濃度。此外，該邊界層中的氧份量亦可等於或大於銀鏡面中的氧份量。例如，該邊界層具有Ag2O-層或AgOx-層或由其構成，該邊界層特別是直接在半導體層序列上。因此，直接在該半導體層序列上可整面地或依位置而形成一種Ag2O-層或AgOx-層。
    依據至少一實施形式，介於銀鏡面和半導體層序列之間的接面區具有的厚度最多為2奈米或最多為1奈米(nm)。此厚度例如可藉由傳輸式電子顯微鏡(簡稱為TEM)來測得。藉由二次離子-質譜儀(簡稱為SIMS)，該厚度由於通常太小的低解析度能力而不能可靠地確定。
    依據至少一實施形式，銀鏡面之材料的重量成份除了銀(Ag)和氧(O)以外最多為5×10-5或最多為1×10-5。此外，半導體層序列之鄰接於銀鏡面的該部份層是由p-摻雜之GaN所形成。添加鋁及/或銦使在該GaN-層上分別有最多5原子-%的成份，矽及/或鍺之添加量最多分別為2原子-%。除了鎵(Ga)、氮(N)、鋁(Al)、銦(In)、矽(Si)及鍺(Ge)，其它成份在該GaN-層上整體最多有1原子-%的成份。
    依據至少一實施形式，銀鏡面和該覆蓋層之間的接面區之厚度最多為10奈米(nm)。換言之，在此厚度內材料成份由AgOx切換至覆蓋層的材料。銀鏡面在面向該覆蓋層之此側上之可能的粗糙度(例如，微米(μm)等級)不在考慮之列。銀鏡面之厚度因此例如介於100奈米(nm)(含)和500奈米(nm)之間。
    若該覆蓋層由以鎵來摻雜的材料所形成，則鎵(Ga)可在朝向半導體層序列的方向中穿入至銀鏡面中100奈米(nm)之深度處。該覆蓋層中的鎵-成份較佳是最多為0.1重量-%。銀鏡面中的鎵-成份較佳是較該覆蓋層中者至少小10倍或至少小100倍或至少小1000倍。
    依據至少一實施形式，該覆蓋層由氧化錫、氧化銦或氧化銦錫(簡稱為ITO)所製成。二元的金屬氧化物例如包括ZnO、SnO2或In2O3，三元的金屬氧化物例如包括Zn2SnO4、ZnSnO3、MgIn2O4、Zn2In2O5或In4Sn3O12。這些二元或三元的金屬氧化物亦屬於該覆蓋層之可能使用的材料。該覆蓋層未必由具有化學計量成份之材料所形成。該覆蓋層較佳是已被摻雜。
    依據至少一實施形式，銀鏡面中的氧成份在由該覆蓋層離開的方向中單調地或嚴格單調地減少或保持定值。在半導體層序列和銀鏡面之間的接面區中，氧成份較高或最高，特別是GaO或GaON形成在接面區中時。
    此外，本發明提供一光電半導體晶片之製造方法。以此方法特別是可製成一種半導體晶片，就像上述一個或多個實施例中所述一樣。此光電半導體晶片之特徵因此亦揭示於此處所述的方法中且反之亦然。
    在本方法的至少一實施形式中，其至少包括以下步驟，較佳是以下述的順序進行：-製備一種半導體層序列，其具有一用來產生輻射之活性層，-施加一種銀鏡面至該半導體層序列，-將氧添加至該銀鏡面之銀中，其中所添加的氧之重量成份相對於該銀鏡面之銀而言較佳是介於10-5(含)和10%之間，以及-製成此半導體晶片。
    依據本方法之至少一實施形式，該銀鏡面在含氧之大氣中退火。
    依據本方法之至少一實施形式，該覆蓋層在氧之添加期間曝露於該銀鏡面中。換言之，氧經由該覆蓋層而到達銀鏡面中，氧特別是由含氧之大氣中出來。
    依據本方法之至少一實施形式，在該銀鏡面層上施加一覆蓋層，在添加氧時本方法所在的溫度介於100℃(含)和500℃之間，特別是介於300℃(含)和500℃之間，或介於350℃(含)和450℃之間。
    依據本方法之至少一實施形式，氧之添加是在氧分壓至少為2毫巴(mbar)或至少為20毫巴(mbar)或至少為100毫巴(mbar)之大氣中進行。或是，氧分壓最多為500毫巴(mbar)或最多為300毫巴(mbar)或最多為200毫巴(mbar)或最多為100毫巴(mbar)或最多為50毫巴(mbar)。
    依據本方法之至少一實施形式，其中氧之添加是在溫度較室溫大很多時進行，氧之添加的期間為至少10秒或至少30秒或至少2分鐘或至少5分鐘或至少10分鐘。或是，氧之添加的此期間最多為1小時或最多為40分鐘或最多為30分鐘。氧特別是能以簡稱為所謂閃光(Flash)的形式來添加。
    依據本方法之至少一實施形式，在氧之添加期間該銀鏡面曝露著。換言之，該銀鏡面之遠離該半導體層序列之一邊界面會受到含氧之大氣的作用。
    依據本方法之至少一實施形式，其中該銀鏡面未具備一覆蓋層，則該氧之添加是在溫度為至少0℃或至少10℃或至少18℃時進行。或是，在氧之添加時溫度較佳是最多50℃或最多80℃或最多130℃。
    依據本方法之至少一實施形式，其中該銀鏡面未具備一覆蓋層，則該氧之添加的期間為至少15小時或至少10小時或至少5小時或至少2小時。此期間亦可為最多48小時或最多36小時或最多24小時。
    以下，將依據實施例且參考各圖式來詳述此處所述的光電半導體晶片及其製造方法。各圖式中相同的各組件分別設有相同的參考符號。然而，所示的各元件未必依比例繪出。反之，為了易於理解之故，各別元件可予放大地顯示出。
    圖1中顯示光電半導體晶片1之製造方法的一實施例之切面圖。
    依據圖1A，製備一種半導體層序列2，其具有一用來產生電磁輻射之活性層。此半導體層序列2係以AlInGaN為主。主側25垂直於該半導體層序列2之生長方向G，該主側25上直接施加銀鏡面3。
    該銀鏡面之施加例如藉由蒸鍍或濺鍍來達成。該銀鏡面3之材料較佳是純銀。銀鏡面3之材料上之污染度較佳是最多100 ppm。銀鏡面3之沿著該生長方向G的厚度例如大約140奈米(nm)。
    依據圖1B，直接在銀鏡面3上施加一覆蓋層4。此覆蓋層4係藉由金屬氧化物(例如，ZnO)形成。例如，此覆蓋層4具有大約50奈米(nm)的厚度。藉由該覆蓋層4，則可在溫度較室溫高出很多時在銀鏡面3上防止銀滴的形成，即，進行銀的去濕作用。
    氧添加至銀鏡面3中係顯示在圖1C中。經由大約20分鐘之期間且在溫度大約400℃時，具有裸露之覆蓋層4之銀鏡面3承受一種氣流S。此氣流S藉由氮-氧-混合物而形成。氧含量例如大約0.2%。大氣壓力整體而言例如大約1000毫巴(mbar)。
    或是，亦可在與上述之值不同的溫度、氧分壓和期間時將氧施加至銀鏡面3中。所選取的溫度越高，則所選取的氧含量可有利地越少且氧之添加的期間可越短。
    氧在銀鏡面3中可藉由擴散而均勻地或基本上均勻地分佈著。同樣，氧亦可在銀鏡面3和半導體層序列2之間的邊界上增多或銀鏡面3中的氧含量可在朝向半導體層序列2的方向中減少。
    圖1D中顯示了一種金屬層5施加在該覆蓋層4上。該金屬層5較佳是金層或鉑層。除了金屬層5以外，亦可使用一種由透明可導電的氧化物(簡稱為TCO)構成的層。
    銀鏡面3對藍光的反射率會由於添加氧而未降低或未降低很多。特別是對波長大約445奈米(nm)之藍光之反射率是在93%和96%之間且對波長大約700奈米(nm)之紅光之反射率是在97%(含)和98%之間。
    圖1A至圖1D中所示的各步驟較佳是在一整個晶圓上進行，該晶圓上生長著該半導體層序列2。多個步驟，例如，將半導體層序列2劃分成各別的半導體晶片1、以及施加該半導體晶片1之其它組件(例如，電性接觸區、鈍化層或焊接層)、以及產生粗糙性以使光射出效率獲得改良等等，都未顯示在圖中。例如，提供一種像文件US 2010/0171135 A1中所構成的半導體晶片1，其已揭示的內容藉由參考而收納於此處。
    半導體晶片1之另一實施例顯示在圖2中。依據圖2，該半導體晶片1未具備該覆蓋層4。金屬層5直接施加在銀鏡面3上。此種半導體晶片1如圖2所示能以下述方式製成：在半導體層序列2上施加由純銀構成的銀鏡面3。在裸露的銀鏡面3上導引一種氣流、或該銀鏡面3承受一種含氧之大氣。例如，氧添加至該銀鏡面3中係在溫度大約20℃時、超過24小時的期間且在大約190毫巴(mbar)之氧分壓以及總壓力大約1000毫巴(mbar)和純空間條件下進行。
    與圖2所示者不同，亦可在銀鏡面3和金屬層5之間施加一覆蓋層。與圖1不同，該覆蓋層當然亦可只在氧添加之後施加在銀鏡面3上。
    光電半導體晶片1之另一實施例顯示在圖3中。在銀鏡面3上該半導體層序列2具有一個部份層20。該部份層20是由p-摻雜之GaN製成。該部份層20具有大約50奈米(nm)之厚度且以大約1×1020 cm-3之濃度以鎂來摻雜。
    半導體層序列2之在由銀鏡面3遠離的方向中連接於該部份層20上的多個區域較佳是同樣為p-摻雜者，特別是以鎂來摻雜。該部份層20下方沿著生長方向G觀看時的該些區域之摻雜濃度較佳是最多1×10-20 cm-3或最多1×1018 cm-3。同樣，當高摻雜的接觸層(例如，該部份層20)沿著該生長方向進行時，該些區域可未被摻雜。此種部份層20亦可存在於其它全部的實施例中。
    依據圖3，在銀鏡面3和該部份層20之間存在一種邊界層23。該邊界層23所具有的厚度較佳是最多0.5奈米(nm)，該邊界層23中該銀鏡面3之材料成份轉移成該部份層20之材料成份。該邊界層23中較佳是不同於該半導體層序列2之其它部份而可存在一種類似於銀鏡面3中的氧濃度。在銀鏡面3和半導體層序列2或該部份層20之間可能存在不明顯的邊界層23。
    圖4中顯示半導體晶片1之另一實施例。在銀鏡面3和半導體層序列2之間以區域方式施加一種光學折射率低之材料6。光學折射率低是指：該材料6之折射率例如較該半導體層序列2之折射率至少小0.5。於是，該材料6可作為全反射用之鏡面層。例如，該材料6係由氮化矽或氧化矽形成且特別是電性絕緣者。該半導體層序列2之電性接觸然後經由多個島形的區域來達成，該些多個島形的區域中該銀鏡面3係與該半導體層序列2直接相接觸。
    就像在其它實施例一樣，該覆蓋層4較佳是可導電者，使半導體層序列2之電性接觸可經由該覆蓋層4來達成。或是，大致上是在依據圖1所示之製造過程中該覆蓋層4亦可在將氧施加至銀鏡面3中之後被去除。
    藉由銀鏡面3中的氧，則可使半導體層序列2和銀鏡面3之間的接觸應力下降。這是由於銀鏡面3和半導體層序列2之間的邊界上的氧所造成。與銀鏡面3中除了氧以外都相同的半導體晶片相比較下，該接觸應力大約可下降3%。在大小為1mm2的半導體晶片中，前向偏壓由大約3.1伏(V)下降大約100毫伏(mV)至大約3.0伏(V)，其中電流大約350毫安(mA)。
    此處所述的本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
    本專利申請案主張德國專利申請案10 2011 115 299.0之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
    1‧‧‧光電半導體晶片
    2‧‧‧半導體層序列
    20‧‧‧半導體層序列之部份層
    23‧‧‧邊界層(半導體層序列-銀鏡面)
    25‧‧‧半導體層序列之主側
    3‧‧‧銀鏡面
    4‧‧‧覆蓋層
    5‧‧‧金屬層
    6‧‧‧折射率低之材料
    G‧‧‧半導體層序列之生長方向
    S‧‧‧氣流
    圖1A至圖1D是光電半導體晶片之製造方法的圖解。
    圖2至圖4是光電半導體晶片之實施例的圖解。
    1‧‧‧光電半導體晶片
    2‧‧‧半導體層序列
    20‧‧‧半導體層序列之部份層
    23‧‧‧邊界層(半導體層序列-銀鏡面)
    25‧‧‧半導體層序列之主側
    3‧‧‧銀鏡面
    4‧‧‧覆蓋層
    5‧‧‧金屬層
    G‧‧‧半導體層序列之生長方向
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種光電半導體晶片(1)，具有-半導體層序列(2)，以及-銀鏡面(3)，其中該銀鏡面(3)配置在該半導體層序列(2)上，且氧添加至該銀鏡面(3)之銀中，該氧之重量成份至少10-5且最多10%。
    [2] 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該銀鏡面(3)直接施加在該半導體層序列(2)上，該銀鏡面(3)和該半導體層序列(2)之間的接面區具有最多2奈米(nm)之厚度，該銀鏡面(3)中的氧之重量成份介於10-5(含)和10-3之間，該銀鏡面(3)上之氮的重量成份除了銀(Ag)和氧(O)以外最多5×10-5，且該半導體層序列(2)之鄰接於該銀鏡面(3)之部份層(20)係由p-摻雜之GaN所形成且鋁(Al)及/或銦(In)之添加量分別為最多5原子-%，矽(Si)及/或鍺(Ge)之添加量分別為最多2原子-%，其它成份除了鎵(Ga)、氮(N)、鋁(Al)、銦(In)、矽(Si)及鍺(Ge)以外所佔的份量在整體上最多為1原子-%。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中該銀鏡面(3)由銀和氧構成，其它物質的污染度最多100 ppm。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中直接在該銀鏡面(3)之遠離該半導體層序列(2)之一側上施加一覆蓋層(4)，其中該覆蓋層(4)包括一種金屬氧化物或由一種或多種金屬氧化物構成。
    [5] 如申請專利範圍第4項之光電半導體晶片(1)，其中該覆蓋層(4)藉由ZnO或摻雜的ZnO所形成且具有至少20奈米(nm)及最多500(nm)奈米的厚度。
    [6] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中該半導體層序列(2)之鄰接於該銀鏡面(3)之部份層(20)係由p-摻雜之GaN或由p-摻雜之InAlGaN所形成。
    [7] 如申請專利範圍第6項之光電半導體晶片(1)，其中該部份層(20)具有一種介於2奈米(含)和20奈米之間的厚度，摻雜物質是鎂且摻雜物質濃度介於1×1019 cm-3和2×1020 cm-3之間。
    [8] 如申請專利範圍第1至7項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中該銀鏡面(3)和該半導體層序列(2)之間的邊界層(23)具有最多5奈米(nm)的厚度，其中在該邊界層(23)中存在銀、氧、GaN、鋁、銦及/或鎂。
    [9] 如申請專利範圍第1至8項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中該部份層(20)中的氧濃度最多為1×1016 cm-3。
    [10] 如申請專利範圍第1至9項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中該銀鏡面(3)之厚度介於70奈米(nm)(含)和300奈米(nm)之間。
    [11] 如申請專利範圍第1至10項中任一項之光電半導體晶片(1)，其中該銀鏡面(3)中氧的重量成份介於0.01%(含)和1.0%之間。
    [12] 一種光電半導體晶片(1)之製造方法，具有以下步驟：-製備一種半導體層序列(2)，以及-在該半導體層序列(2)上施加銀鏡面(3)，其中氧添加至該銀鏡面(3)之銀中，該氧之重量成份至少10-5且最多10%，及-製成該半導體晶片(1)。
    [13] 如申請專利範圍第12項之製造方法，其中-直接在該銀鏡面(3)之遠離該半導體層序列(2)之一側上施加一覆蓋層(4)，-該覆蓋層(4)包括一種金屬氧化物或由一種或多種金屬氧化物所構成且該覆蓋層(4)之厚度介於20奈米(nm)(含)和500奈米(nm)之間，-該覆蓋層(4)在氧之添加期間曝露出來，-在添加氧時溫度介於100℃(含)和550℃之間，-該添加是在大氣中的氧分壓介於2毫巴(mbar)(含)和200毫巴(mbar)之間的情況下進行，及-該添加是在2分鐘(含)和40分鐘之間的期間中進行。
    [14] 如申請專利範圍第12項之製造方法，其中在該氧之添加時-該銀鏡面(3)裸露出來，-溫度介於10℃(含)和80℃之間，-氧之分壓介於100毫巴(mbar)(含)和300毫巴(mbar)之間，且該添加之期間介於10小時(含)和36小時之間。
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